等离子体增强型化学气相沉积 PE-CVD

与典型CVD反应器相比，等离子体增强型化学气相沉积(PE-CVD)提供了一种可使用更低温度沉积各种薄膜的有效替代方案，同时不会降低薄膜质量。高质量的二氧化硅(SiO2)膜可以在300℃至350℃沉积，而CVD需要650℃至850℃的温度生产类似质量的镀膜。

PE-CVD使用电能产生辉光放电(等离子体)，其中能量转移到气体混合物中。这将气体混合物转化成反应性自由基、离子、中性原子和分子，以及其他高活性物质。在PE-CVD中，气相和表面反应受到等离子体性质的强烈控制。代替热活化，气体混合物的电子碰撞电离驱动气相反应，能够在比常规CVD工艺低得多的温度下进行沉积。 对于PE-CVD，沉积速率通常不是基片温度的强函数，表面活化能通常很小。然而，薄膜性质，例如，组成、应力和形态，通常是基片温度的强函数。