PlasmaPro 100 PECVD

设计PECVD工艺模式的目的是要在控制薄膜性能，如折射率、应力、电学特性和湿法化学刻蚀速率的前提下，生产均匀性好且沉积速率高的薄膜。

高质量的薄膜，高产量和出色的均匀性

电的适用温度范围宽

兼容200mm以下所有尺寸的晶圆

可快速更换硬件以适用于不同尺寸的晶圆

成本低且易于维护

电阻丝加热电，温度可达400°C或1200°C

实时监测清洗工艺， 并且可自动停止工艺