
HSE200/230设备是针对MEMS及先进封装领域开发的深硅刻蚀设备,主要用于8英寸及以下MEMS刻蚀,以及8-12英寸先进封装硅刻蚀。设备针对研发/中试线/量产领域可以灵活配置平台方式。HSE200/230采用双等离子源设计,能够实现先进封装领域硅材料高速、高产能的需求,同时保证200mm/300mm晶圆的均匀性控制。同时采用脉冲偏压设计,保证TSV高深宽比及优异的形貌控制。
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