THEORIS 302／FLOURIS 201 立式氧化炉

立式氧化炉(300mm/200mm)是在中高温下通入特定气体（O2/H2/DCE），在硅片表面发生氧化反应，生成二氧化硅薄膜的一种设备。生成的二氧化硅薄膜可以作为集成电路器件前道的缓冲介质层、牺牲氧化层和栅氧化层。

  随着集成电路制造工艺要求的提高，特征尺寸不断缩小，对高端集成电路工艺处理设备的需求也越来越强烈。相比较传统炉管设备，立式氧化炉具优势：高效生产性能，高精度温度控制性能，良好成膜均匀性能，先进颗粒控制技术，完整的工厂自动化接口等。